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1、在样品断电的状态下，先将温度下降到-50°C，保持4个小时;
请勿在样品通电的状态下进行低温测试，非常重要，因为通电状态下，芯片本身就会产生+20°C以上温度，所以，在通电状态下，通常比较容易通过低温测试，必须先将其“冻透”，再次通电进行测试。
2、开机，对样品进行性能测试，对比性能与常温相比是否正常。
3、进行老化测试，观察是否有数据对比错误。
4、升温到+90°C，保持4个小时，与低温测试相反，升温过程不断电，保持芯片内部的温度一直处于高温状态，4个小时后，执行2、3、4测试步骤。
5、高温和低温测试分别重复10次。
如果测试过程出现任何一次不能正常工作的状态，则视为测试失败。
GB/T2423.1-2008试验A：低温试验方法
GB/T2423.2-2008试验B：高温试验方法
GB/T2423.22-2002试验N：温度变化试验方法
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