电子元器件/微电子器件可靠性试验

可靠性试验一般是在产品的研究开发阶段和大规模生产阶段进行的。在研究开发阶段，可靠性试验主要用于评价设计质量、材料和工艺质量。在大规模生产阶段，可靠性试验的目的则是质量保证或定期考核管理。由于阶段不同，其月的和内容也不完全相同。

 

（1）通过试验来确定电子元器件的可靠性特性值。试验暴露出的在设计、材料、工艺阶段存在的问题和有关数据，对设计者、生产者和使用者都是非常有用的。

（2）通过可靠性鉴定试验，可以全面考核电子元器件是否已达到预定的可靠性指标。这是电子元器件新品设计定型必须进行的步骤。

（3）通过各种可靠性试验，了解产品在不同的工作、环境条件下的失效规律，摸准失效模式，搞清失效机理，以便采取有效措施，提高产品可靠性。

 

 

半导体集成电路：时基电路、总线收发器、缓冲器、驱动器、电平转换器、门器件、触发器、LVDS线收发器、运算放大器、电压调整器、电压比较器、电源类芯片（稳压器、开关电源转换器、电源监控器、电源管理等）、致模转换器（A/D、D/A、SRD）、存储器、可编程逻辑器件、单片机、微处理器、控制器等;

半导体分立器件∶二极管、三极管、场效应管、达林顿阵列、半导体光电子器件等;

电阻器;电容器;磁珠;电感器;

 

变压器;晶体振荡器;晶体谐报器;

 

继电器;电连接器;开关及面板元件;

 

滤波器;电源模块；IGBT等。