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CMP技术（化学机械研磨）是现代半导体制造中非常重要的一项技术，在半导体制造中的应用最多，通过CMP工艺使用化学机械抛光液和抛光垫可以去除晶圆表面的氧化层、硅化物、金属残留物等杂质，达到工件表面平坦化，保证晶体管等器件的性能稳定性。
抛光磨料是CMP化学机械抛光液中最重要的组成部分，它能够去除硅片表面的氧化物和金属残留物，以达到平坦化的效果。CMP常用化学抛光液有哪些？常见的CMP化学机械抛光液有氧化铝（Al₂O₃）、氧化硅（SiO₂）、氧化铈（CeO₂）氮化硅（Si₃N₄）等。不同的抛光液有不同的特点和应用场景。
氧化铝抛光液的硬度较高，适用于硬质材料表面的氧化物和残留物去除;氧化硅抛光液的硬度较低，适用于去除软性材料表面的氧化物和残留物。氧化铈抛光液（稀土抛光液）适用于玻璃光学材质的抛光打磨。还有一些特殊的磨料抛光液如氧化钨、氮化铝等，抛磨硬度高的半导体材料，性能更稳定，但价格相对较高。
吉致电子在CMP抛光耗材研发上注重优化和协调，不断提升CMP过程的效率和稳定性，同时也更注重绿色环保，采用低毒、低挥发、易降解的成分，减少对环境和健康的影响。
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