CMP工艺融合了化学研磨和物理研磨的过程，而单一的化学或物理研磨在表面精度、粗糙度、均匀性、材料去除率及表面损失程度上都不能同时满足要求。CMP工艺兼具了二者的优点，通过抛光液/研磨液（slurry）与抛光垫（Pad）化学机械作用，在保证材料去除效率的同时，得到准确的表面材料层的厚度，获得较好的晶圆表面平坦度和均匀性，实现纳米级甚至原子级的表面粗糙度，同时还能保证较小的表面损失程度。 基于简单的物理和化学原理过程，CMP工艺就能得到精准和稳定的微观工艺结果，因此它已经成为集成电路制造工艺流程中一种最广泛采用且不断扩张应用领域的技术。
CMP工艺的独特之处是可以通过不同抛光液和抛光垫组合来满足不同工件的抛磨工艺。根据对象的不同，CMP工艺主要分为硅拋光（Poly CMP)、硅氧化物拋光(Silicon Oxide CMP)、碳化硅抛光 ( Silicon Carbide CMP)、钨抛光（W CMP）和铜拋光 (Cu CMP)。
CMP化学机械抛光液参与到制造和TSV封装微芯片的各个阶段，从而去除平坦化晶片前表面上的多余材料，或者为添加下一层电路功能创建一个完美的平坦基础，以保证晶片表面完全平坦化。
吉致电子25年CMP抛光液研发经验，为各行业客户提供材料表面加工及研磨抛光解决方案，主营:碳化硅晶片研磨液、钼抛光液、硅片抛光液、蓝宝石抛光液、金刚石研磨液、氧化铝精抛液、半导体材料、光学材料抛光液、红外球罩抛光、金属材料镜面抛光。积极融入国产slurry替代大局中，与国内主流的晶圆制造厂商均有深度合作，研发定制化的CMP产品逐步打破壁垒。
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